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BC857S中文资料

BC857S图片

BC857S外观图

  • 大小：3018.55KB
  • 厂家：金誉
  • 描述：Multi-Chip TRANSISTOR (PNP)
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：125 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 频率 - 转换：200MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-70-6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BC857S-NDBC857STR

BC857S供应商

更新时间:2023-01-27 23:58:40
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BCM43235KMLGB330B-13-FBC857BLT1GBCT2890ELL-TRBQ24026DRCRBSS138NBDG1A16GBSS215PBZT52C2V7S-7-FBA25BC0FP-E2

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